[15a-K205-1~9] 1.3 Novel technologies and interdisciplinary engineering

11:15 AM - 11:30 AM JST(2:15 AM - 2:30 AM UTC)

[15a-K205-8] Development of Fluorocarbon-free Silicon Vertical Etching Technology Using RIE System

〇Kanna Aoki¹, Kouichi Akahane¹ (1.NICT)

Keywords:

silicon,dry etching,BOSCH

汎用RIE装置を用い、保護膜形成とエッチングを繰り返してシリコンの垂直エッチングを可能にする技術を確立した。この際、代表的シリコン深堀り技術であるBOSCH法で用いられる有機物のフルオロカーボン保護膜ではなく、一般的なシリコンプロセスで容易に除去可能なSiO2を保護層として用い、電子・光デバイス形成に導入しやすい技術とすることを重視した。エッチング深さ1.9 µm、テーパー角1.9度を実現した。