講演情報
[15a-K205-8]汎用 RIE装置を用いたフルオロカーボンフリー
シリコン垂直エッチング技術の開発
〇青木 画奈1、赤羽 浩一1 (1.情報通信研究機構)
キーワード：
シリコン、ドライエッチング、BOSCH
汎用RIE装置を用い、保護膜形成とエッチングを繰り返してシリコンの垂直エッチングを可能にする技術を確立した。この際、代表的シリコン深堀り技術であるBOSCH法で用いられる有機物のフルオロカーボン保護膜ではなく、一般的なシリコンプロセスで容易に除去可能なSiO2を保護層として用い、電子・光デバイス形成に導入しやすい技術とすることを重視した。エッチング深さ1.9 µm、テーパー角1.9度を実現した。