[15a-K301-1~11] 17.3 Layered materials

11:30 AM - 11:45 AM JST(2:30 AM - 2:45 AM UTC)

[15a-K301-10] Operation mechanism of VO_x/VSe₂ heterostructure-based ReRAM

〇(M2)Yuta Nakamura¹, Ryotaro Aso², Yuto Tomita², Che-Yi Lin³, Mitsuru Inada¹, Keiji Ueno⁴, Yen-Fu Lin³, Mahito Yamamoto¹ (1.Kansai Univ., 2.Kyushu Univ., 3.NCHU, 4.Saitama Univ.)

Keywords:

Resistive Random Access Memory (ReRAM),Sliver,VSe2

近年、原子数個分の厚さしかない二次元材料のReRAM応用が注目されている。一方、ReRAMの上部電極にAgやCuなどの活性金属を使用することによる動作電圧の低減も報告されている。我々はこれまでに層状金属であるVSe₂の表面上に形成された極薄酸化膜(VO_x)に対してAgを電極として用いることで、低電圧でのReRAM動作を実現している。本研究では、VO_x/VSe₂ヘテロ構造ReRAMの動作メカニズムについて議論する。