講演情報
[15a-K301-10]VOx/VSe2ヘテロ構造 ReRAMの動作メカニズムの検証
〇(M2)中村 優太1、麻生 亮太郎2、富田 雄人2、Lin Che-Yi3、稲田 貢1、上野 啓司4、Lin Yen-Fu3、山本 真人1 (1.関西大院理工、2.九大院工、3.国立中興大学、4.埼玉大院理工)
キーワード：
抵抗変化メモリ、銀、二セレン化バナジウム
近年、原子数個分の厚さしかない二次元材料のReRAM応用が注目されている。一方、ReRAMの上部電極にAgやCuなどの活性金属を使用することによる動作電圧の低減も報告されている。我々はこれまでに層状金属であるVSe2の表面上に形成された極薄酸化膜(VOx)に対してAgを電極として用いることで、低電圧でのReRAM動作を実現している。本研究では、VOx/VSe2ヘテロ構造ReRAMの動作メカニズムについて議論する。