[15a-K301-1~11] 17.3 Layered materials

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[15a-K301-2] Modulation of the electronic properties of MoS₂ by in-situ sulfur vapor deposition

〇Takumi Yohida¹, Hideki Hamamoto¹, Yasushi Ishiguro², Kazuyuki Takai¹ (1.Hosei Univ., 2.National Defense Acad.)

Keywords:

Molybdenum disulfide,Sulfur vacancy,Field Effect Transistor

二硫化モリブデン (MoS₂) は単層試料を得る過程で硫黄空孔が生じることが知られている．硫黄空孔はデバイス特性を低下させるため，硫黄空孔の補修に注目が集まっている．既報の手法では大気からの影響を除外できないため，in-situでの補修手法が求められている．本研究では単層MoS₂を真空加熱し，in-situで硫黄蒸着した際の電気伝導度の変調を調べ，硫黄蒸着による単層MoS₂の電子物性への影響を評価した．