講演情報
[15a-K301-2]In-situ硫黄蒸着によるMoS2の電子物性の変調
〇吉田 巧1、濱本 英幹1、石黒 康志2、高井 和之1 (1.法政大理工、2.防衛大電気電子工)
キーワード：
二硫化モリブデン、硫黄空孔、電界効果トランジスタ
二硫化モリブデン (MoS2) は単層試料を得る過程で硫黄空孔が生じることが知られている．硫黄空孔はデバイス特性を低下させるため，硫黄空孔の補修に注目が集まっている．既報の手法では大気からの影響を除外できないため，in-situでの補修手法が求められている．本研究では単層MoS2を真空加熱し，in-situで硫黄蒸着した際の電気伝導度の変調を調べ，硫黄蒸着による単層MoS2の電子物性への影響を評価した．