[15a-K307-1~11] 9.2 Nanoparticles, Nanowires and Nanosheets

12:00 PM - 12:15 PM JST(3:00 AM - 3:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K307-10] Elucidation of the Mechanism of Material Property Changes of Hexagonal (NH₄)_xWO₃ Nanowire Induced by O₂ Annealing

〇Yuki Narita¹, Ryo Toyoshima¹, Ken Uchida¹ (1.Tokyo univ.)

Keywords:

oxide semiconductor,nanowire

我々はこれまで，酸素アニールにより水熱合成六方晶(NH₄)_xWO₃ナノワイヤのNH₄⁺濃度減少に成功したことで，電子材料として最適な抵抗値を実現した．しかし，六方晶(NH₄)_xWO₃内のNH₄⁺濃度が減少する理由は明らかとされていなかった．本講演では，酸素アニール前のh-WO₃内でNH₄⁺とNH₃の平衡関係として存在することを示し，材料解析結果からNH₄⁺濃度減少の理由を考察した．