Presentation Information
[15a-K403-10]Design of Rectenna Circuit Using High-Frequency Ga2O3 Schottky Barrier Diodes for Applications to 24-GHz Microwave Wireless Power Transmission
〇(M1)Yudai Suehiro1, Kohki Eguchi1, Yuto Tabata1, Takuya Tsutsumi1, Yasuo Ohno1,2, Masataka Higashiwaki1,3 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Laser Systems Inc., 3.NICT)
Keywords:
semiconductor,gallium oxide,rectenna
Ga2O3ショットキーバリアダイオード (SBD) を用いたマイクロ波無線電力伝送用レクテナ回路設計をデバイスおよび回路シミュレータを用いて実施し、24 GHzでの同回路のRF/DC変換効率 (η) を導出した。結果、Ga2O3 SBDのアクセス層電子濃度が4 × 1020 cm-3の場合、アノード電極半径によらず最大80%程度と非常に高いηが得られることを確認した。
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