[15a-K403-1~12] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

11:45 AM - 12:00 PM JST(2:45 AM - 3:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K403-10] Design of Rectenna Circuit Using High-Frequency Ga₂O₃ Schottky Barrier Diodes for Applications to 24-GHz Microwave Wireless Power Transmission

〇(M1)Yudai Suehiro¹, Kohki Eguchi¹, Yuto Tabata¹, Takuya Tsutsumi¹, Yasuo Ohno^1,2, Masataka Higashiwaki^1,3 (1.Osaka Metropolitan Univ., 2.Laser Systems Inc., 3.NICT)

Keywords:

semiconductor,gallium oxide,rectenna

Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード (SBD) を用いたマイクロ波無線電力伝送用レクテナ回路設計をデバイスおよび回路シミュレータを用いて実施し、24 GHzでの同回路のRF/DC変換効率 (η) を導出した。結果、Ga₂O₃ SBDのアクセス層電子濃度が4 × 10²⁰ cm^-3の場合、アノード電極半径によらず最大80%程度と非常に高いηが得られることを確認した。