[15a-K503-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

10:30 AM - 10:45 AM JST(1:30 AM - 1:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K503-7] Growth and Characterization of (Mg,Si)N-AlN Solid Solution Thin Films with Wurtzite Structure

〇Sotaro Kageyama¹, Kazuki Okamoto¹, Yoshiomi Hiranaga², Hiroshi Funakubo¹ (1.Science Tokyo, 2.Tohoku Univ.)

Keywords:

Ferroelectric,Nitride,Piezoelectric

我々はこれまでに、反応性スパッタリング法によって、MgSiN₂薄膜を作製することに成功し、得られた膜がウルツ鉱構造をもち、c軸配向かつエピタキシャル成長していることを確認した。そこで、次のステップとして特性のチューニングを目指し、ウルツ鉱構造を有する材料どうしの固溶体(Mg,Si)N-AlN薄膜を作製した。この組成系については、Anggrainiらが(Mg+Si)/(Al+Mg+Si)が0.15~0.30の組成範囲の報告を行っている。本研究では、(Mg+Si)/(Al+Mg+Si)の大きいより広い組成領域についても検討した。