[15a-K503-1~9] 6.1 強誘電体薄膜

10:30 〜 10:45奨励賞エントリー

[15a-K503-7] ウルツ鉱構造(Mg,Si)N-AlN固溶体薄膜の作製と評価

〇影山 壮太郎¹、岡本 一輝¹、平永 良臣²、舟窪 浩¹ (1.東京科学大、2.東北大)

キーワード：

強誘電体、窒化物、圧電体

我々はこれまでに、反応性スパッタリング法によって、MgSiN₂薄膜を作製することに成功し、得られた膜がウルツ鉱構造をもち、c軸配向かつエピタキシャル成長していることを確認した。そこで、次のステップとして特性のチューニングを目指し、ウルツ鉱構造を有する材料どうしの固溶体(Mg,Si)N-AlN薄膜を作製した。この組成系については、Anggrainiらが(Mg+Si)/(Al+Mg+Si)が0.15~0.30の組成範囲の報告を行っている。本研究では、(Mg+Si)/(Al+Mg+Si)の大きいより広い組成領域についても検討した。