[15a-K503-1~9] 6.1 Ferroelectric thin films

10:45 AM - 11:00 AM JST(1:45 AM - 2:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15a-K503-8] Ferroelectricity of La-substituted ZnO thin films

〇Yudai Yoshino¹, Atsuhiro Tamai¹, Jingwei He¹, Sang Hyo Kweon¹, Hideaki Adachi¹, Isaku Kanno¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:

ferroelectric thin film,ZnO thin film

本研究室において，Zn_1-x(Ce,Mn)_xO薄膜で強誘電性が発現することを報告した。これはイオン半径と価数の大きいCeをZnと置換することによってc/aを低減させることを目的としており，更にMnを添加することによりZnOの絶縁性を改善させることで強誘電性を実現している．今回我々は，ZnO薄膜における新たな添加元素の探索を目的として，Ceと同程度のイオン半径を有し価数が3+のLaを置換した(Zn, La)O薄膜を作製し，強誘電性に与える影響を調べた．