講演情報
[15a-K503-8]La置換ZnO薄膜の作製とその強誘電性評価
〇吉野 雄大1、玉井 敦大1、何 京瑋1、權 相曉1、足立 秀明1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
キーワード：
強誘電体薄膜、ZnO薄膜
本研究室において，Zn1-x(Ce,Mn)xO薄膜で強誘電性が発現することを報告した。これはイオン半径と価数の大きいCeをZnと置換することによってc/aを低減させることを目的としており，更にMnを添加することによりZnOの絶縁性を改善させることで強誘電性を実現している．今回我々は，ZnO薄膜における新たな添加元素の探索を目的として，Ceと同程度のイオン半径を有し価数が3+のLaを置換した(Zn, La)O薄膜を作製し，強誘電性に与える影響を調べた．