[15p-K302-1~11] 13.9 Compound solar cells

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[15p-K302-1] Fabrication and evaluation of thermoradiative diodes using GaSb-based III-V dilute nitride alloys

〇(M1C)Yamato Kyuno¹, Tetsuya Nakamura², Tensei Kawasaki¹, Junpei Ota¹, Keisuke Yamane¹ (1.Toyohashi Tech., 2.JAXA)

Keywords:

thermoradiative,GaSb,dilute nitride

熱輻射発電は、低温熱浴に向けた狭バンドギャップ半導体pn接合を利用して逆方向起電力を生成する技術で、宇宙空間での長期間にわたる電力供給手段として注目されている。本研究では、活性層にGaSbNを用いたデバイスを分子線エピタキシー法で作製し、温度差340°C時の測定を実施した。その結果、最大出力15.2 pWが得られ、熱輻射発電デバイスの実現可能性が示された。