[15p-K302-1~11] 13.9 化合物太陽電池

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[15p-K302-1] GaSb系 III-V 希薄窒化物混晶を用いた熱輻射発電デバイスの作製と評価

〇(M1C)久野 倭¹、中村 徹哉²、川崎 天聖¹、大田 遵平¹、山根 啓輔¹ (1.豊橋技科大工、2.宇宙機構)

キーワード：

熱輻射発電、GaSb、希薄窒化物

熱輻射発電は、低温熱浴に向けた狭バンドギャップ半導体pn接合を利用して逆方向起電力を生成する技術で、宇宙空間での長期間にわたる電力供給手段として注目されている。本研究では、活性層にGaSbNを用いたデバイスを分子線エピタキシー法で作製し、温度差340°C時の測定を実施した。その結果、最大出力15.2 pWが得られ、熱輻射発電デバイスの実現可能性が示された。