[15p-K302-1~11] 13.9 Compound solar cells

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)

[15p-K302-3] Development of high-throughput 6-inch HVPE for GaAs-based solar cells

〇Ryuji Oshima¹, Yasushi Shoji¹, Yudai Shimizu², Akinori Ubukata², Kikuo Makita¹, Hiroki Tokunaga², Takeyoshi Sugaya¹ (1.AIST, 2.TNSC)

Keywords:

Solar cells,III-V semiconductors,Hydride vapor phase epitaxy

安価な原料を用いて超高速成長が可能なHVPE法は、III-V族多接合太陽電池の低コスト技術として注目されている。今回、量産性向上に向けた6インチ基板の導入が可能なGaAs系HVPE装置を世界で初めて開発した。GaInP窓層を導入したGaAsセルにおいて良好なヘテロ界面が得られた一方で、GaAsベース層中に2%程度のIn原子の混入が確認され、GaAsベース層の高品質化にはIII族原料の内部切替機構の改善が課題であることが示唆された。