[15p-K302-1~11] 13.9 化合物太陽電池

14:00 〜 14:15

[15p-K302-3] GaAs系太陽電池の量産性向上に向けた6インチHVPE装置の開発

〇大島 隆治¹、庄司 靖¹、清水 裕大²、生方 映徳²、牧田 紀久夫¹、徳永 裕樹²、菅谷 武芳¹ (1.産総研、2.大陽日酸)

キーワード：

太陽電池、III-V族化合物半導体、ハイドライド気相成長法

安価な原料を用いて超高速成長が可能なHVPE法は、III-V族多接合太陽電池の低コスト技術として注目されている。今回、量産性向上に向けた6インチ基板の導入が可能なGaAs系HVPE装置を世界で初めて開発した。GaInP窓層を導入したGaAsセルにおいて良好なヘテロ界面が得られた一方で、GaAsベース層中に2%程度のIn原子の混入が確認され、GaAsベース層の高品質化にはIII族原料の内部切替機構の改善が課題であることが示唆された。