[15p-K303-1~7] 10.1 Emerging materials in spintronics and magnetics (including fabrication and characterization methodologies)

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[15p-K303-4] Anomalous Hall effect of Co₂Mn(Ga_1-xGe_x) full-Heusler epitaxial thin film

〇(M2)Sosuke Nakada¹, Akimasa Sakuma¹, Mikihiko Oogane¹, Satoshi Kokado², Masakiyo Tsunoda¹ (1.Tohoku Univ., 2.Shizuoka Univ.)

Keywords:

spintronics,anomalous Hall effect,Heusler alloy

スピン軌道トルク（SOT）- MRAMのスピン流生成に強磁性体の異常ホール効果（AHE）を用いる方式が提案されている．スピン流源層として有用と考えられる大きなAHEとスピン偏極率ξを持つ材料として，Co₂MnGaとCo₂MnGeに着目した．AHEとξへのフェルミ準位チューニングの影響を評価し，Co₂Mn(Ga_1-xGe_x)におけるSOT-MRAMスピン流源としての最適組成を見出した．