[15p-K303-1~7] 10.1 新物質・新機能創成（作製・評価技術）

14:15 〜 14:30

[15p-K303-4] Co₂Mn(Ga_1-xGe_x)フルホイスラー合金エピタキシャル薄膜の異常ホール効果

〇(M2)中田 颯介¹、佐久間 昭正¹、大兼 幹彦¹、古門 聡士²、角田 匡清¹ (1.東北大工、2.静岡大工)

キーワード：

スピントロニクス、異常ホール効果、ホイスラー合金

スピン軌道トルク（SOT）- MRAMのスピン流生成に強磁性体の異常ホール効果（AHE）を用いる方式が提案されている．スピン流源層として有用と考えられる大きなAHEとスピン偏極率ξを持つ材料として，Co₂MnGaとCo₂MnGeに着目した．AHEとξへのフェルミ準位チューニングの影響を評価し，Co₂Mn(Ga_1-xGe_x)におけるSOT-MRAMスピン流源としての最適組成を見出した．