Presentation Information

[15p-K307-11]Thermoelectric properties of nano-grained bulk p-type Si-Ge with suppressed oxidization.

〇Ryogo Ishihara1, Takuma Okumura1, Keisuke Hirata2, Masaharu Matsunami1, Tsunehiro Takeuchi1 (1.Toyota Tech. Inst., 2.The Univ. of Tokyo)

Keywords:

Thermoelectric materials

従来の焼結方法で作製されたp型Si-Ge材料は3〜4at.%程度の酸素を含有していた.試料の酸化を抑制できれば比抵抗を低減できる可能性が高い.さらに,粒子界面の酸素が取り除かれることで,焼結温度を低下させることが可能になり,微粒子化による格子熱伝導度の低減も得られる可能性が高いと考えた.本研究ではナノバルクp型Si-Ge系熱電材料の酸化と粒成長の抑制を目的として新たな試料の作製プロセスの確立し,ZTの向上を目指した.

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