講演情報
[15p-K307-11]酸化を抑制したナノバルクp型Si-Ge系熱電材料の熱電特性
〇石原 崚伍1、奥村 拓真1、平田 圭佑2、松波 雅治1、竹内 恒博1 (1.豊田工大、2.東大新領域)
キーワード：
熱電材料
従来の焼結方法で作製されたp型Si-Ge材料は3〜4at.%程度の酸素を含有していた．試料の酸化を抑制できれば比抵抗を低減できる可能性が高い．さらに，粒子界面の酸素が取り除かれることで，焼結温度を低下させることが可能になり，微粒子化による格子熱伝導度の低減も得られる可能性が高いと考えた．本研究ではナノバルクp型Si-Ge系熱電材料の酸化と粒成長の抑制を目的として新たな試料の作製プロセスの確立し，ZTの向上を目指した．