[15p-K307-1~14] 9.4 Thermoelectric conversion

2:15 PM - 2:30 PM JST(5:15 AM - 5:30 AM UTC)

[15p-K307-4] Thermoelectric device characteristics of ZnO thin films with the controlled electronic states

〇Yuki Komatsubara¹, Kozuki Seiya¹, Takafumi Ishibe^1,2, Kazunori Sato³, Eiichi Kobayashi⁴, Yoshiaki Nakamura^1,2 (1.Grad. School of Eng. Sci., Osaka Univ., 2.OTRI Osaka Univ., 3.Grad. School of Eng., Osaka Univ., 4.Kyushu Synchrotron Light Research Center)

Keywords:

Thermoelectric conversion,Device,ZnO

我々は熱電発電の応用先拡大に向け、窓ガラス等へ応用可能な透明な酸化亜鉛（ZnO）薄膜に注目し、歪印加したZnO薄膜において、伝導帯の非放物線性増大に伴う有効質量増大を誘発させ、高出力因子化を達成した。本研究では、この歪ありZnO薄膜における簡易デバイスを作製し、動作実証を行うことで社会応用の可能性を見出すことを目的とした。その結果、他のZnO系デバイスと比べて高い値を得た。