講演情報
[15p-K307-4]電子状態制御したZnO薄膜の熱電デバイス特性
〇小松原 祐樹1、上月 聖也1、石部 貴史1,2、佐藤 和則3、小林 英一4、中村 芳明1,2 (1.阪大院基礎工、2.阪大OTRI、3.阪大院工、4.九州シンクロトロン光研究センター)
キーワード：
熱電変換、デバイス、ZnO
我々は熱電発電の応用先拡大に向け、窓ガラス等へ応用可能な透明な酸化亜鉛（ZnO）薄膜に注目し、歪印加したZnO薄膜において、伝導帯の非放物線性増大に伴う有効質量増大を誘発させ、高出力因子化を達成した。本研究では、この歪ありZnO薄膜における簡易デバイスを作製し、動作実証を行うことで社会応用の可能性を見出すことを目的とした。その結果、他のZnO系デバイスと比べて高い値を得た。