[15p-K307-1~14] 9.4 Thermoelectric conversion

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[15p-K307-9] Refined Measurement of the Specific Contact Resistivity between Bismuth Telluride Thermoelectric Semiconductors and Metal with Advanced Transfer Length Method

〇(M1)Akihiro Katsura¹, Maki Tsurumoto¹, Yukiko Hirose¹, Daniele Micucci², Takashi Sato^3,4, Eiji Iwase⁴, Tohru Sugahara^1,4 (1.Kyoto Institute Univ., 2.Polito, 3.AIST, 4.Waseda Univ.)

Keywords:

Thermoelectric Generation,Bismuth Telluride,Contact Resistance

本研究では, Bi₂Te₃系熱電半導体と金属界面における接触抵抗を, 改良した拡張TLM法を用いて精密に評価した成果について報告する. 従来のTLM法では, 半導体の厚みや設計条件に依存した評価が課題であったが, 本研究ではこれを克服し, 材料特性や温度依存性,熱的信頼性を含む固有接触抵抗率の正確な測定を可能にした. 測定の結果, 298K（熱電発電デバイスの低温側）ではTi, 378K（高温側）ではNiが優れた接触抵抗特性を示すことが明らかとなった．また，SEM・TEM観察を行い，デバイスの動作環境下での界面拡散や材料劣化を詳細に評価した．