講演情報
[15p-K307-9]拡張伝送線モデル(TLM)法を用いた Bi2Te3系熱電半導体/金属界面の固有接触抵抗率の精密測定と信頼性評価
〇(M1)桂 章皓1、鶴元 真妃1、廣瀬 由紀子1、ミクッチ ダニエレ2、佐藤 峻3,4、岩瀬 英治4、菅原 徹1,4 (1.京工繊大、2.トリノ工科大、3.産総研、4.早稲田大)
キーワード：
熱電発電、ビスマステルル、接触抵抗
本研究では, Bi₂Te₃系熱電半導体と金属界面における接触抵抗を, 改良した拡張TLM法を用いて精密に評価した成果について報告する. 従来のTLM法では, 半導体の厚みや設計条件に依存した評価が課題であったが, 本研究ではこれを克服し, 材料特性や温度依存性,熱的信頼性を含む固有接触抵抗率の正確な測定を可能にした. 測定の結果, 298K（熱電発電デバイスの低温側）ではTi, 378K（高温側）ではNiが優れた接触抵抗特性を示すことが明らかとなった．また，SEM・TEM観察を行い，デバイスの動作環境下での界面拡散や材料劣化を詳細に評価した．