[15p-P05-1~62] 17 Nanocarbon and Two-Dimensional Materials (Poster)

[15p-P05-17] Real-time XRD analysis of GaN remote epitaxy on sapphire substrates covered with directly grown graphene

〇(M2)Takato Oda¹, Yuta Fukui¹, Takuo Sasaki², Shota Yokozawa¹, Hiroki Hibino¹ (1.Kwansei Gakuin Univ., 2.QST)

Keywords:

remote epitaxy,GaN,graphene

リモートエピタキシーは、グラフェンで覆われた基板上に薄膜をエピタキシャル成長させる手法であり、薄膜を剥離して基板を再利用できるといった利点を有する。さらに、グラフェンは格子不整合歪みを緩和する助けとなるため、高品質なヘテロエピタキシャル薄膜がより薄い状態で得られる可能性がある。本研究ではグラフェンを直接成長させたc面サファイア基板を使用し、GaN薄膜の初期成長過程をその場X線回折で解析した。