[15p-P05-1~62] 17 Nanocarbon and Two-Dimensional Materials (Poster)

[15p-P05-54] Dependence of Photocurrent of MoS₂-FET on the amount of the deposited CuNPc

〇(M1)Gaku Kosuge¹, Tsuyoshi Takaoka², Liu Haotin¹, Atsushi Ando³, Tadahiro Komeda² (1.Sci, Tohoku Univ, 2.IMRAM, Tohoku Univ, 3.AIST)

Keywords:

Field effect transistor,FET

原子層レベルで二次元薄膜を容易に作成でき、優れた電気特性を有することから多くの注目を集めている遷移金属ダイカルコゲナイドであるMoS₂を用いて電界効果トランジスタ（MoS₂-FET）を作製した。単色光を照射によるI_dの増加を、光の波長に対してプロットすることで、光応答スペクトルを得た。その後、銅ナフタロシアニン（CuNPc）分子を蒸着してその光応答特性の変化を評価した。また、分子センサー応用の可能性などについても議論したい。