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[15p-P07-14]Preparation of BaFe12O19/Pt films with perpendicular magnetization and evaluation of tunneling conduction properties

〇(M2)Ryota Adachi1, Masaaki Tanaka1, Haruka Komiyama2, Teruo Ono2, Takehiko Hihara1, Ko Mibu1 (1.Nagoya Inst. Tech., 2.Kyoto Univ.)
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Keywords:

spintronics,thin film,barium ferrite

強磁性絶縁体バリウムフェライト(BaM)薄膜はPt薄膜上で大きな垂直磁化を示すが、表面平坦性が悪くMTJ素子への応用が難しい。本研究では、温度の急速昇降が可能な赤外線炉を用いてアニール処理を行い、結晶配向性、垂直磁化、表面平坦性の良いバリウムフェライト超薄膜の作製条件を調査した。また、最適な条件で作製したBaM薄膜の電気伝導特性の結果より、トンネル伝導を示す3次関数的な変化の観測に成功した。

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