[15p-P10-1~4] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[15p-P10-2] Evaluation of Ru Thin Film Properties and Adhesion Improvement for Next-Generation Interconnect

〇(B)Ryosuke Hayashi¹, Mizuki Ogawa¹, Seibun Oshio¹, Kazuki Adachi¹, Takahisa Tanaka¹, Munehiro Tada¹ (1.Keio Univ.)

Keywords:

Ru,BEOL

LSIロジックデバイスの微細化に伴い、Cu配線材料の抵抗率上昇が問題視され、新規配線材料としてRuが注目されている。本研究では、Ruのスパッタ成膜条件が結晶性や表面ラフネスに与える影響を解析し、低圧成膜で高い結晶配向性と低ラフネスが得られる一方で、密着性が低下するトレードオフを確認した。この原因として残留応力が示唆され、絶縁膜との密着性改善のための取り組みを報告する。