[16a-K203-1~9] 6.3 Oxide electronics

9:00 AM - 9:30 AM JST(12:00 AM - 12:30 AM UTC)

[16a-K203-1] [The 9th Thin Film and Surface Physics Division Paper Award Speech] Edge-of-chaos learning achieved by ion-electron–coupled dynamics in an ion-gating reservoir

〇Daiki Nishioka¹, Wataru Namiki¹, Makoto Takayanagi^1,2, Masataka Imura¹, Yasuo Koide¹, Tohru Higuchi², Kazuya Terabe¹, Takashi Tsuchiya¹ (1.NIMS, 2.Tokyo Univ. Sci.)

Keywords:

physical reservoir computing,electric double layer transistor,ion-gating

AIによる急増する消費電力問題の解決に向けて、生体の神経システムにおける効率的な情報処理に着想を経た代替計算機の実現が期待されている。そこで我々は、材料へのイオンゲーティングによる物性変調を情報処理に利用する新しい計算機の枠組みであるイオンゲーティングリザバーを開発し、材料界面の非線形挙動に基づく擬似神経応答やカオスの縁といった脳機能の模擬、及びそれを利用する優れた情報処理性能を実証した。