[16a-K207-1~10] 17.2 Graphene

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[16a-K207-2] Graphene/hexagonal boron nitride/graphene heterojunction deep ultraviolet detectors

〇Shoichiro Fukushima¹, Satoru Fukamachi², Masaaki Shimatani¹, Manabu Iwakawa¹, Hiroki Ago², Shinpei Ogawa¹ (1.Mitsubishi Electric Corp., 2.Kyushu Univ.)

Keywords:

graphene,hexagonal boron nitride,deep ultraviolet

光ゲート効果は光増感材料の電気特性変化を用いる、グラフェン光検出器の有効な高感度化手法である。我々はこれまでに、深紫外領域において六方晶窒化ホウ素 (h-BN) を用いて光ゲート効果を発現させた高感度深紫外検出器について報告している。本研究ではグラフェンでh-BNを挟み込んだヘテロ接合型の深紫外検出器について報告する。
h-BNの下部と上部それぞれにグラフェン電界効果トランジスタ (GFET) を形成した。
波長260 nmの深紫外光への応答を評価したところ、ゲート電圧をh-BN経由で印加する上部GFETでのみ、明瞭な深紫外光応答を測定できたことから、h-BNによる光ゲート効果の発現を確認した。