[16a-K207-1~10] 17.2 Graphene

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[16a-K207-3] Interface layer insertion in type II superlattice/graphene diodes infrared detectors

〇Shoichiro Fukushima¹, Masaaki Shimatani¹, Manabu Iwakawa¹, Shinpei Ogawa¹ (1.Mitsubishi Electric Corp.)

Keywords:

graphene,T2SL,infrared

我々は主に光ゲート効果を用いたグラフェン光検出器の高感度化検討を行ってきた。これまでに、Type-II超格子 (T2SL) 構造上にグラフェン電界効果トランジスタ及びダイオードを形成し、中・長波長赤外光を高感度に検出可能であることを示した。本研究ではさらなる性能向上を目指してグラフェンとT2SL構造の界面にHfO₂界面層を導入した結果について報告する。中波長赤外線への応答特性を 比較することで、HfO₂界面層の検出性能への影響と、最適な膜厚を求め界面層の有効性を実証した。