[16a-K308-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

9:30 AM - 9:45 AM JST(12:30 AM - 12:45 AM UTC)

[16a-K308-3] Molecular Dynamics Simulation of Silicon Nanocrystal Formation in Silicon Oxide Films

〇Genta Tamura^1,2, Kazuhiro Gotoh^3,4,5, Noritaka Usami⁵, Takashi Tokumasu² (1.Graduate School of Eng., Tohoku Univ., 2.Inst. of Fluid Science, Tohoku Univ., 3.Graduate School of Sci. & Tech., Niigata Univ., 4.IRCNT, Niigata Univ., 5.Graduate School of Eng., Nagoya Univ.)

Keywords:

Molecular dynamics,Silicon oxide,Si Nanocrystal

近年，比較的厚いSiOx膜に対しても良好なパッシベーション性能と導電性を両立した構造が開発された．本構造は，a-SiOx中にSi NCが埋め込まれた構造であるが，熱処理中のパラメータがSi NCに与える影響が未解明である．本研究では、a-SiOxをアニールし結晶化させる計算を行った。その結果、酸素濃度を高くするほど，Si NCが成長するまでの時間は長くなり成長速度は遅くなることが確認された．