[16a-K308-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

9:45 AM - 10:00 AM JST(12:45 AM - 1:00 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16a-K308-4] Strain Evaluation of Si around Electrodes for Crystalline Silicon Solar Cells by Temperature Variable Raman Spectroscopy

〇(M2)Koki Hasebe¹, Takuya Minowa¹, Kyotaro Nakamura², Yoshio Ohshita², Noboru Yamada³, Atsushi Ogura^1,4 (1.Meiji Univ., 2.Toyota Tech. Inst., 3.Nagaoka Tech. Univ., 4.MREL)

Keywords:

crystalline silicon solar cell,electrode,strain

結晶シリコン太陽電池の長期信頼性という観点において、繰り返される温度変化による機械的破壊が懸念される。さらなる過酷な環境を想定し、より広い温度範囲での加速試験評価はより詳細な熱による電極周辺のSiの歪場の理解に重要な知見となる。本研究ではより広い温度範囲でバスバー電極周辺と電極から離れた箇所でラマン分光法による歪の温度依存性評価を行うことで、熱によるクラック発生メカニズムをより詳細に調査した。