Presentation Information

[16a-K309-1]Anomalous Nernst Effect in Heusler-type Co2Mn1-xFexGa Compounds

Mito Nagase1, 〇Hidetoshi Myazaki1, Yoichi Nishino1, Weinan Zhou2, Guangzong Xing2, Keisuke Masuda2, Yuya Sakuraba2 (1.Nagoya Inst. Tech., 2.NIMS)

Keywords:

thermoelectric materials,Anomalous Nernst effect,Heusler compounds

異常ネルンスト効果は、外部磁場がない状態で磁性材料に垂直な温度勾配を加えると熱起電力が発生する現象であり、IoTデバイスなどの自立型電源への応用が期待されている。Co2MnGaのMnサイトにFeをドープすることで、電子ドーピングによる電子構造の最適化により大きな異常ネルンスト係数を示すことが予測されている。そこで、本研究では、バルクCo2Mn1-xFexGa多結晶体の合成方法を確立するとともにこの系の異常ネルンスト係数の関係を調査した。

Comment

To browse or post comments, you must log in.Log in