講演情報
[16a-K309-1]ホイスラー型Co2Mn1-xFexGa化合物における異常ネルンスト効果
長瀬 未都1、〇宮崎 秀俊1、西野 洋一1、Zhou Weinan2、Xing Guangzong2、増田 啓介2、桜庭 裕弥2 (1.名工大、2.物質・材料研究機構)
キーワード:
熱電材料、異常ネルンスト効果、ホイスラー化合物
異常ネルンスト効果は、外部磁場がない状態で磁性材料に垂直な温度勾配を加えると熱起電力が発生する現象であり、IoTデバイスなどの自立型電源への応用が期待されている。Co2MnGaのMnサイトにFeをドープすることで、電子ドーピングによる電子構造の最適化により大きな異常ネルンスト係数を示すことが予測されている。そこで、本研究では、バルクCo2Mn1-xFexGa多結晶体の合成方法を確立するとともにこの系の異常ネルンスト係数の関係を調査した。