[16a-K502-1~9] 2.1 Radiation physics, Material development and characteristic evaluation

11:00 AM - 11:15 AM JST(2:00 AM - 2:15 AM UTC)

[16a-K502-8] Evaluation of grain size and sensing properties of TlBr polycrystalline films formed by vacuum deposition

〇Kohei Toyoda^1,2, Junichi Nishizawa^1,3, Katsuyuki Takagi^2,3, Hiroki Kase³, Toru Aoki^3,2,1 (1.Shizuoka Univ. CMMP, 2.ANSeeN, 3.Shizuoka Univ. RIE)

Keywords:

semiconductor detector,Thallium Bromide,Vacuum deposition

臭化タリウム (TlBr) はX線・γ線に対して高い吸収効率を示す半導体材料である。TlBrは蒸気圧が低く、抵抗加熱真空蒸着による薄膜の形成が可能であり、大面積を必要とするX線画像検出器に適している可能性がある。本研究では、蒸着条件を変化させたときのTlBr多結晶膜の結晶粒径を評価した。また、半導体検出器の物性を調べる方法として、吸収能とエネルギーが大きくパルス検出ができる可能性の高い²⁴¹Am α線のパルス検出評価を行った。