[16a-P06-1~5] 3.10 Photonic structures and phenomena

[16a-P06-3] Development of L-band nanocavity-based Raman silicon laser

〇(B)Rikuto Ichinose¹, Shoei Yamasaki¹, Ayumi Ishihara², Yuta Kanemaru¹, Takashi Asano³, Susumu Noda³, Yasushi Takahashi² (1.Osaka Pref. Univ., 2.Osaka Met. Univ., 3.Kyoto Univ.)

Keywords:

Raman silicon laser,Silicon Photonics,Nanocavity

我々は、高Q値フォトニック結晶ナノ共振器を用いたシリコンラマンレーザをC-band（1.55 µm帯）で開発し、O-band（1.31 µm帯）でも発振を確認している。近年、データ通信の増加に伴い、L-band（1.6 µm帯）やU-band（1.65 µm帯）の利用が進み、これらバンド間での波長変換デバイスが必要とされている。今回、Stokesモードの波長が1.6 µmを超えるナノ共振器構造を設計し、試作した結果、C-bandと同等の高Q値を達成した。この結果により、L-bandでのラマンレーザ発振が期待されるので報告する。