[16a-Y1311-1~9] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

9:15 AM - 9:30 AM JST(12:15 AM - 12:30 AM UTC)

[16a-Y1311-2] Electronic States of Nanosheet Oxide Semiconductor at the Electrode-Oxide Interface

〇SUNBIN HWANG¹, Kota Sakai³, Takanori Takahashi², Mutsunori Uenuma¹, Yukiharu Uraoka², Masaharu Kobayashi³ (1.AIST, 2.NAIST, 3.IIS The Univ. Tokyo)

Keywords:

Electronic States of Semiconductor,Nanosheet Oxide Semiconductor,Electrode-Oxide Semiconductor Interface

最先端半導体プロセスの微細化が進む中、10 nm以下のナノシート半導体材料における電子状態の解明がますます重要視されている。従来のレガシー半導体材料(線幅28 nm以上)では電子状態が飽和しているのに対し、10 nm以下のナノシート半導体ではナノシート化に伴う電子状態変化が電気的物性に大きな影響を及ぼすことが示されている。したがって、ナノシート半導体の電子状態を詳細に解明し、それをデバイス設計に活用することが、1 nm未満(Sub-Nano)デバイスの実現に向けた重要な課題となる。本研究の目的は、極表面複合分析装置群を用いて、実デバイスに用いられる電極材料とナノシート半導体の界面における電子状態を分析し、バンドダイアグラムを系統的に作成することである。また、これに基づきトランジスタの電気特性との因果関係を明らかにし、ナノシート半導体トランジスタの設計指針を構築することを目指す。