[16p-K302-1~6] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

2:00 PM - 2:15 PM JST(5:00 AM - 5:15 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-K302-3] Theoretical analysis of efficiency droop in Eu-doped GaN by rate equation

〇Keito Mori¹, Shuhei Ichikawa¹, Yasufumi Fujiwara², Kazunobu Kojima¹ (1.Osaka Univ., 2.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:

rare earth doped semiconductor,rate equation,efficiency droop

本研究では、Eu添加GaNにおける効率Droop現象の解明を目的として、母体のGaNも含めたレート方程式を構築した。フィッティングパラメータはEuへとエネルギー輸送するための捕獲準位の密度のみとし、発光強度の励起強度依存性の再現を行ったところ、比較的良好な一致を示し、捕獲準位が効率低下を律速していることがわかった。