講演情報
[16p-K302-3]Eu添加GaNにおける効率Droop現象のレート方程式による理論解析
〇森 恵人1、市川 修平1、藤原 康文2、小島 一信1 (1.阪大院工、2.立命館大総研)
キーワード：
希土類添加半導体、レート方程式、効率Droop
本研究では、Eu添加GaNにおける効率Droop現象の解明を目的として、母体のGaNも含めたレート方程式を構築した。フィッティングパラメータはEuへとエネルギー輸送するための捕獲準位の密度のみとし、発光強度の励起強度依存性の再現を行ったところ、比較的良好な一致を示し、捕獲準位が効率低下を律速していることがわかった。