[16p-K504-1~15] 6.4 Thin films and New materials

3:45 PM - 4:00 PM JST(6:45 AM - 7:00 AM UTC)

[16p-K504-11] Investigation of the Crystallization Mechanism of Amorphous Indium Tin Oxide Thin Films Induced by Laser Irradiation

〇(M1)DONGYANG GUO¹, Maiki Sato¹, Keita Katayama¹, Yohei Tanaka², Hisato Yabuta^1,2 (1.ISEE, Kyushu Univ., 2.Gigaphoton NEXT GLP, Kyushu Univ.)

Keywords:

Transparent conductive films,Laser annealing,Crystallization

透明導電膜として広く利用されているITO薄膜は、電気炉等でアニール処理することでアモルファス状態から結晶化し性能が向上する。本研究では、基板への熱影響を抑え基板表面のみを加熱するために高繰り返し照射が可能なKrFエキシマレーザーを用いてアニール処理を行った。レーザーの照射回数、繰り返し周波数、およびフルエンスを変化させることで、薄膜の結晶状態を制御できた。結晶状態などについて、学会当日発表予定である。