[16p-K504-1~15] 6.4 Thin films and New materials

1:30 PM - 1:45 PM JST(4:30 AM - 4:45 AM UTC)Presentation by Applicant for JSAP Young Scientists Presentation Award

[16p-K504-3] WS₂ Thin Film Deposition by Atomic Layer Deposition using Organic Precursors (Ⅱ)

〇Hiroshi Yokota¹, Sota Higashi¹, Hideaki Machida², Masato Ishikawa², Hiroshi Sudoh², Hitoshi Wakabayashi³, Sawamoto Naomi^1,6, Yokogawa Ryo^4,5,6, Ogura Atsushi^1,6 (1.Sch. of Sci. and Tech., Meiji Univ., 2.Gas-phase Growth Ltd., 3.Institute of Science Tokyo, 4.RISE, Hiroshima Univ., 5.Grad. Sch. of Adv. Sci. and Eng., Hiroshima Univ., 6.MREL, Meiji Univ.)

Keywords:

Transition Metal Dichalcogenide(TMD),Tungsten disulfide(WS2),Atomic Layer Deposition(ALD)

二硫化タングステン(WS₂)は遷移金属ダイカルコゲナイド材料として、高い電子移動度を有し、層数に応じてバンドギャップが変化する性質から、次世代半導体デバイス材料として注目されている。特に数層のWS₂は次世代LSI向けの極薄膜チャネル材料として有望である。本研究では、自然酸化膜が形成されたSi基板上にALDによる成膜を行い、サイクル数に応じて層数を変化させることを試みた。成膜後は化学結合状態や結晶構造、結晶状態を評価した。