[16p-K504-1~15] 6.4 薄膜新材料

13:30 〜 13:45奨励賞エントリー

[16p-K504-3] 有機原料を用いたALD法によるWS₂薄膜成長(Ⅱ)

〇横田 浩¹、東 奏太¹、町田 英明²、石川 真人²、須藤 弘²、若林 整³、澤本 直美^1,6、横川 凌^4,5,6、小椋 厚志^1,6 (1.明治大理工、2.気相成長株式会社、3.東京科学大、4.広島大RISE、5.広島大院先進理工、6.明大MREL)

キーワード：

遷移金属ダイカルコゲナイド、二硫化タングステン、原子層堆積法

二硫化タングステン(WS₂)は遷移金属ダイカルコゲナイド材料として、高い電子移動度を有し、層数に応じてバンドギャップが変化する性質から、次世代半導体デバイス材料として注目されている。特に数層のWS₂は次世代LSI向けの極薄膜チャネル材料として有望である。本研究では、自然酸化膜が形成されたSi基板上にALDによる成膜を行い、サイクル数に応じて層数を変化させることを試みた。成膜後は化学結合状態や結晶構造、結晶状態を評価した。