[16p-P01-1~9] 8.1 Plasma production and diagnostics

[16p-P01-1] Diagnostics of Input-power Dependence of Fundamental Properties of
Capacitively-coupled RF Tetraethoxysilane Plasma

〇Tatsuya Takiguchi¹, Yu Uematsu¹, Oda Akinori¹ (1.Chiba Inst. Technol.)

Keywords:

plasma,TEOS

層間絶縁膜は, 半導体デバイスにおいて配線間を電気的に絶縁する膜として重要な役割を果たしており, SiO₂膜が広く使用されている。本膜は, 通常プラズマCVD法を用いて堆積され, 原料ガスはTEOSが使用される。層間絶縁膜は膜の均一性などが求められているが, これらを達成するためにはTEOSプラズマの基礎特性を理解し, プラズマを高度に制御する必要がある。本研究では, TEOSプラズマの基礎特性の投入電力依存性を計測したため報告する。