[16p-P04-1~20] 12.1 Fabrications and Structure Controls

[16p-P04-11] Fabricating Ph-BTBT-10 film on HZO film for applicating organic memory

〇(M1C)Daiji Kitamura^1,2, Towa Nakazawa¹, Ryoga Takemoto¹, Hiroshi Takase¹, Yoshiki Tate^1,2, Kazuto Koike^1,2, Shingo Maruyama³, Nobuya Hiroshiba^1,2 (1.OIT, 2.OIT NMRC, 3.Tohoku Univ.)

Keywords:

organic semiconductor,ferroelectric

Ph-BTBT-10は高い電界効果移動度を持つことから注目されている有機半導体である。また、ortho相HZOは極薄膜にて強誘電性が報告されており、メモリデバイスへの応用が期待されている。このHZOをゲート絶縁膜としてPh-BTBT-10を用いたFeFET応用を目指している。本発表では、HZO上に成膜したPh-BTBT-10について、同条件で成膜したSiO2上のPh-BTBT-10と比較しつつ表面モフォロジーや結晶構造、電界効果移動度について議論する。