講演情報
[16p-P04-11]有機メモリ応用を目指したHZOゲート絶縁膜上へのPh-BTBT-10成膜
〇(M1C)北村 太慈1,2、中澤 斗翔1、武本 凌河1、高瀬 寛士1、楯 凱貴1,2、小池 一歩1,2、丸山 伸伍3、廣芝 伸哉1,2 (1.大阪工大・工、2.大阪工大・ナノ材研、3.東北大・院工)
キーワード：
有機半導体、強誘電体
Ph-BTBT-10は高い電界効果移動度を持つことから注目されている有機半導体である。また、ortho相HZOは極薄膜にて強誘電性が報告されており、メモリデバイスへの応用が期待されている。このHZOをゲート絶縁膜としてPh-BTBT-10を用いたFeFET応用を目指している。本発表では、HZO上に成膜したPh-BTBT-10について、同条件で成膜したSiO2上のPh-BTBT-10と比較しつつ表面モフォロジーや結晶構造、電界効果移動度について議論する。