[16p-P06-1~3] 15.2 II-VI and related compounds

[16p-P06-3] Theoretical investigation of carrier density dependency of emitter/collector layers on MgZnCdSe/ZnCdSe asymmetric resonant tunneling diodes on InP substrates

〇(B)Eisuke Mogi¹, Ichirou Nomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:

II-VI compound semiconductor,Resonant Tunneling Diode

エミッター側障壁層をMgZnCdSe、コレクター側障壁層をMgSe、井戸層、エミッター／コレクター層をZnCdSeとした非対称共鳴トンネルダイオードにおいて、エミッター／コレクター層のnキャリア濃度を1.0～7.4×10¹⁸cm^-3に増加させた場合の特性向上効果を理論的に検討した。その結果、微分負性抵抗が現れる前のピーク電流密度が1012～8708kA/cm²に大幅に増加することが示された。