[16p-P06-1~3] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[16p-P06-3] InP基板上MgZnCdSe/ZnCdSe非対称共鳴トンネルダイオードにおけるエミッター／コレクター層キャリア濃度依存性の理論検討

〇(B)茂木 英介¹、野村 一郎¹ (1.上智大理工)

キーワード：

Ⅱ-Ⅵ族半導体、共鳴トンネルダイオード

エミッター側障壁層をMgZnCdSe、コレクター側障壁層をMgSe、井戸層、エミッター／コレクター層をZnCdSeとした非対称共鳴トンネルダイオードにおいて、エミッター／コレクター層のnキャリア濃度を1.0～7.4×10¹⁸cm^-3に増加させた場合の特性向上効果を理論的に検討した。その結果、微分負性抵抗が現れる前のピーク電流密度が1012～8708kA/cm²に大幅に増加することが示された。