[16p-P07-1~8] 15.5 Group IV crystals and alloys

[16p-P07-4] Formation and Electrical Characterization of Strained Ge Micro-Floated Structures

〇Jun Okutani¹, Soichiro Takei¹, Takahiro Inoue¹, Syugo Ishibashi¹, Kentarou Sawano¹ (1.TokyoCity Univ.)

Keywords:

germanium

近年、Siに代わる高性能材料としてGeが注目されており、歪みの印加により特性向上が期待される。これまで、圧縮歪みによる正孔移動度増大が報告されているが、引っ張り歪みが移動度に与える影響は調べられていない。Si基板上へのGeのエピタキシャル成長によって、引っ張り歪みが導入されるが、その歪み量は小さく、効果が見えにくい。そこで今回、Geマイクロブリッジ構造を形成することで、一軸引っ張り歪みをマイクロブリッジ中心部分に印加することで、歪み量を増大させて移動度の変化を調べた。