講演情報
[16p-P07-4]歪みGeマイクロ浮遊構造の形成と電気特性評価
〇奥谷 惇1、武井 爽一郎1、井上 貴裕1、石橋 脩悟1、澤野 憲太郎1 (1.都市大)
キーワード：
ゲルマニウム
近年、Siに代わる高性能材料としてGeが注目されており、歪みの印加により特性向上が期待される。これまで、圧縮歪みによる正孔移動度増大が報告されているが、引っ張り歪みが移動度に与える影響は調べられていない。Si基板上へのGeのエピタキシャル成長によって、引っ張り歪みが導入されるが、その歪み量は小さく、効果が見えにくい。そこで今回、Geマイクロブリッジ構造を形成することで、一軸引っ張り歪みをマイクロブリッジ中心部分に印加することで、歪み量を増大させて移動度の変化を調べた。